超晶格中的Umklapp散射被发现会降低石墨烯电荷载流子的高温迁移率

来自英国，日本和美国的一组研究人员发现，Momé超晶格中的Umklapp散射会降低其石墨烯电荷载体的固有高温迁移率。在他们发表在“ 自然物理学 ”杂志上的论文中，该小组描述了他们对用石墨烯制成的超晶格和使用六方氮化硼作为基质的研究，以及他们发现的东西。

甲超晶格是一结构通过层叠两个或更多的非常薄的材料制成的一起-其通常为几纳米的数量级上，并通常与至少部分地由石墨烯。随着科学家寻找继续缩小用于制造智能手机和笔记本电脑等设备的材料和结构的方法，他们已经研究了基于量子点超晶格的纳米级原子簇阵列等结构。值得注意的是，已经观察到超晶格的最佳设计遵循莫尔图案(基于纺织品)。但是，由于研究人员对这一新努力的研究结果，这些想法可能不得不进行修改。在他们的工作中，他们发现Umklapp电子 - 电子(Uee)散射降低了它的迁移率石墨烯中的载流子。

Uee是一种散射过程，可以提供金属电阻，并与超晶格一起使用。它允许电子将动量传递到晶格，从而提供金属电阻。研究人员指出，由于其他现象的干扰，传统上很难测量该过程。

在他们的实验中，研究人员用石墨烯和六方氮化硼制作了测试晶格。在使用超晶格进行的测试中，他们发现Uee散射在晶格异质结构中主导了运动特性。这种优势导致了电阻率的过剩，电阻率随晶格一起增长。最终结果是室温流动性降低了一个数量级以上。

研究人员指出，他们的研究结果并不排除在未来的电子设备中使用Uee和超晶格 - 他们发现，通过不对准或扭曲形成结构的晶体可以防止电阻率的增加。也许是一个额外的步骤，但不是交易破坏者。

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